1、按照显影效果不同， 光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶。
正性光刻胶的曝光部分溶于显影剂，显影时形成的图形与掩膜版上的图形相同。负性光刻胶的曝光部分则不溶于显影剂，显影时形成的图形与掩膜版相反。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。
2、按照化学结构不同，光刻胶可分为光聚合型、光分解型、光交联型和化学放大型。
光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，引发单体聚合反应生成聚合物，常用于负性光刻胶。
光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物（DQN）材料作为感光剂，其经过光照后，发生光分解反应，可以制成正性光刻胶。
光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光作用下，形成不溶性的网状结构，起到抗蚀作用，可制成负性光刻胶。
化学放大型光刻胶采用难以溶解的聚乙烯树脂，使用光致酸剂（PAG）作为光引发剂，当光刻胶曝光后，曝光区域PAG产生酸，可作为后续热烘焙工序的催化器，使得树脂变得易于溶解。化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍，对深紫外光源具有良好的光学敏感性，同时具有高对比度，对高分辨率等优点。
3、按照下游应用领域不同，光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶和半导体光刻胶。
PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶、光成像阻焊油墨。
LCD领域光刻胶主要包括彩色光刻胶和黑色光刻胶、触摸屏光刻胶、TFT-LCD光刻胶。
半导体光刻胶根据对应波长可以分为紫外光刻胶（300-450nm）、深紫外光刻胶（160-280nm）、极紫外光刻胶（EUV、13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶。光刻胶波长越短，加工分辨率越高。
