1、光敏性原理

光刻胶的基本原理是光敏材料暴露在紫外线下，光线将光敏材料中的分子激活，使其发生化学反应，使光敏胶发生预设的变化。根据光线能量的不同，光刻胶可分为UV光刻胶和深紫外光刻胶。UV光刻胶用于制造精度要求低的电子元件，而深紫外光刻胶则用于制造更微小的元器件。

2、光学成像原理

光刻胶是通过光学成像原理来实现预期的纹理结构。当光照射在光刻胶表面时，会通过掩膜上的白色区域透过黑色区域，达到将图案映射到光刻胶上的目的。通过开发过程，只剩下光刻胶上所需的微型器件的部分区域，即可形成要制造的微型器件。

3、选择适合的溶剂

光刻胶的成分包括光敏材料、单体、溶剂和剂量。反应关键因素之一是选择适合系统的溶剂，溶剂是优化反应速率和接触角的关键因素。正确的溶剂选择可确保强大的粘附力和最小的溶液浸透时间。