1.盖革 - 米勒计数器

当辐射粒子进入盖革管，会电离管内气体（如氩气），产生正负离子对。在管内高压电场（约几百至几千伏）作用下，离子高速运动，引发雪崩效应，离子撞击更多气体分子，产生大量新离子。瞬间产生的大量电荷形成脉冲电流，被电路放大后，转化为计数信号。脉冲信号的频率与辐射强度正相关：辐射越强，单位时间内产生的脉冲越多，读数越高。

2.闪烁体探测器

辐射子撞击闪烁体时，能量被闪烁体吸收，使其中的原子或分子激发。激发态原子回到基态时释放荧光光子（不可见的紫外线或可见光）。荧光光子被光电倍增管接收，转化为微弱电信号，经多级放大后形成可测量的脉冲信号。脉冲信号的幅度与辐射粒子能量正相关（可用于区分辐射类型，如 γ 射线能量不同，脉冲幅度不同），频率与辐射强度正相关。

3.半导体探测器

辐射粒子进入半导体，电离产生电子 - 空穴对。在半导体两端外加电压形成的电场中，电子和空穴分别向正、负极移动，形成电流脉冲。脉冲信号的幅度与辐射粒子的能量直接相关，能量越高，产生的电子 - 空穴对越多，脉冲越大。

4.电离室

辐射粒子电离腔体内气体，产生离子对。在电极电场作用下，离子定向移动形成持续电流，电流大小与辐射剂量率成正比。