1、原材料
由于国内化工行业发展较西方起步较晚，缺乏先进材料的研发投资和人才储备，日美等国外企业卡住了大硅片、光刻胶、刻蚀剂、特纯气体等材料。而材料的底层是化学，在短时间内很难做到技术突破，这个过程需要时间沉淀和积累。只有不断尝试和犯错，不断研发，才能取得成果。
2、设备
众所周知，芯片半导体的生产离不开高端的设备，每个过程都需要专门的设备才能进行，刻蚀、CMP、CVD、PVD、光刻机、量测设备等一系列都是芯片制造不可获取的，而且随着芯片工艺的升级，设备也需要进行更新换代，而核心设备的研发一般来说需要5-10年的时间。目前，我国支持生产14纳米以下芯片的先进制程的设备和国外还有较大差距。
3、EDA
这是芯片设计不可或缺的软件。如果没有EDA软件工具以及IP授权，即便是再天才的工程师也无法设计出好的芯片。EDA需要懂计算机、算法、工艺、器件、电路设计的跨学科人才。这块全球只有三家巨头，其中两家是美国公司，而国内在EDA方面才刚起步，公司也很少。
4、制造工艺
如今，最先进的工艺制程已经到了3纳米，台积电和三星率先实现了量产。而在大陆目前最先进的是中芯国际的14纳米，和国外先进的工艺制程差距在三代左右。所以老美敢于封锁14纳米以下的先进制程技术和设备。
5、人才匮乏
由于我国在半导体行业起步较晚，相关的人才培养体系和大学专业课程还不太完善，我国缺少顶尖的架构师和研发人员，而底层技术的突破就需要大量的物理学家、化学家和数学家等跨学术的人才去突破。
总结来看，国产芯片最大的技术难点在原材料、设备、EDA、制造工艺以及人才等五大方面，每个方面都需要时间去突破，因此任重而道远。
