安徽格恩半导体有限公司（以下简称“格恩半导体”）成立于2021年8月，由国内外化合物半导体芯片领域的领军人才联合创立，位于安徽省六安市金安经济开发区。项目总投资额20亿元，于2022年6月建成投产。公司汇聚了一批化合物半导体行业精英人才，博士专家团队近20人，核心研发技术人员100余人，皆具有15年以上研发及产业化经验。

格恩半导体聚焦于化合物半导体细分领域，专注于高性能、高功率半导体光电芯片核心技术开发及产业化，现已申请专利200余项，其中发明专利占比90%以上，拥有覆盖化合物半导体激光器芯片设计、外延生长、芯片制造、封装测试等全系列工程技术能力及量产制造能力，深耕于高端化合物半导体芯片的研发、生产和销售，立志成为化合物半导体行业领军企业。

格恩半导体坚持以自主知识产权的优先技术为基础，竭力于为客户打造高品质的产品。公司产品在激光加工、激光医疗、激光显示、车载照明、通讯传感等领域有着广泛的应用。

格恩半导体将实现高端化合物半导体芯片国产化，尤其是公司研发生产的大功率激光芯片突破国际封锁实现国产自给，解决国内应用端芯片依赖进口的“卡脖子”问题。同时，推动国内高端化合物半导体芯片产业不断做强做优做大，助力国内半导体芯片产业的高质量发展。