1、霍尔效应：这是最主流的技术。基本原理是：当电流（I）垂直于外磁场方向（B）流过一片半导体薄片（霍尔元件）时，薄片两侧会产生一个与电流和磁场强度乘积成正比的电压（V_H），即霍尔电压。通过精确测量这个电压，就能计算出磁场强度（B∝V_H/I）。现代霍尔探头灵敏度高、体积小、频率响应宽（可测交变磁场），且能分辨磁场方向（矢量或标量）。

2、磁阻效应：某些材料的电阻会随外加磁场的变化而改变（如各向异性磁阻AMR、巨磁阻GMR、隧道磁阻TMR）。高斯计通过测量这些材料的电阻变化来反推磁场强度。这类传感器通常也具有高灵敏度和小体积的特点。

3、其他原理：如基于磁通门原理（测量磁芯饱和特性变化）的高斯计，常用于测量非常弱的磁场（如地磁场）；基于核磁共振（NMR）或光泵原理的仪器则用于极高精度的磁场测量（通常在科研级别）。

探头产生的微弱电信号被送入主机进行处理：经过放大、滤波、模数转换（ADC）等步骤，最终由微处理器计算出精确的磁场强度值，并以数字（或模拟）形式显示在屏幕上。高级高斯计还能提供磁场峰值保持、最大值/最小值记录、数据输出等功能。