IGBT10大品牌排行榜【最新名单公布】

更新日期 2025-06-8 评论 反馈 版权声明
IGBT10大品牌排行榜
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榜单说明
品牌榜更新时间:2025年06月10日(榜中榜每月更新)
入榜《2025年CNPPIGBT十大品牌榜中榜名录》的有:infineon英飞凌、富士电机、Mitsubishi三菱、starpower、onsemi安森美、SemikronDanfoss、ST意法半导体、比亚迪半导体、Toshiba东芝、士兰微电子Silan等,IGBT10大品牌排行榜由CNPP品牌榜中榜大数据「研究院」和CN10排排榜技术「研究院」通过资料收集整理,并基于大数据统计及人为根据市场和参数条件变化的分析研究专业测评而得出,是大数据、云计算、数据统计真实客观呈现的结果,排序不分先后,不是认定认证、不是竞价排名、不是表彰评选、不是评奖评比,旨在褒扬优秀品牌,展现优秀企业。
IGBT10大品牌
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知识点

1、在应用层面根据电压等级划分

(1)低压IGBT:指电压等级在1000V以内的IGBT器件,例如常见的650V应用于新能源汽车、家电、工业变频等领域。

(2)中压IGBT:指电压等级在1000-1700V区间的IGBT器件,如1200V应用于光伏、电磁炉、家电、焊机、工业变频器和新能源汽车领域,1700V应用于光伏和风电领域。

(3)高压IGBT:指电压等级3300V及以上的IGBT器件,比如3300V和6500V应用于高铁、动车、智能电网,以及工业电机等领域。

2、在产品层面根据封装方式划分

(1)IGBT单管:封装规模较小,一般指封装单颗IGBT芯片,电流通常在50A以下,适用于消费、工业家电领域。

(2)IGBT模块:IGBT最常见的形式,是将多个IGBT芯片集成封装在一起,功率更大、散热能力更强,适用于高压大功率平台,如新能源车、光伏、高铁等。

(3)功率集成(IPM):指把IGBT模块加上散热器、电容等外围组件,组成一个功能较为完整和复杂的智能功率模块。

3、根据是否具有N 缓冲层划分

(1)穿通IGBT:又称PT-IGBT、非对称IGBT,在发射极接触处具有N 区,具有不对称的电压阻断能力,即正向和反向击穿电压不同。非对称IGBT的反向击穿电压小于其正向击穿电压,同时具有更快的切换速度。穿通IGBT是单向的,不能处理反向电压。因此,它们被用于逆变器和斩波器电路等直流电路中。

(2)非穿通IGBT:又称NPT-IGBT、对称IGBT,它没有由发射极接触额外的N 区域,结构的对称性提供了对称的击穿电压特性,即正向和反向击穿电压相等。由于这个原因,它们被用于交流电路。

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