1、在应用层面根据电压等级划分
(1)低压IGBT:指电压等级在1000V以内的IGBT器件,例如常见的650V应用于新能源汽车、家电、工业变频等领域。
(2)中压IGBT:指电压等级在1000-1700V区间的IGBT器件,如1200V应用于光伏、电磁炉、家电、焊机、工业变频器和新能源汽车领域,1700V应用于光伏和风电领域。
(3)高压IGBT:指电压等级3300V及以上的IGBT器件,比如3300V和6500V应用于高铁、动车、智能电网,以及工业电机等领域。
2、在产品层面根据封装方式划分
(1)IGBT单管:封装规模较小,一般指封装单颗IGBT芯片,电流通常在50A以下,适用于消费、工业家电领域。
(2)IGBT模块:IGBT最常见的形式,是将多个IGBT芯片集成封装在一起,功率更大、散热能力更强,适用于高压大功率平台,如新能源车、光伏、高铁等。
(3)功率集成(IPM):指把IGBT模块加上散热器、电容等外围组件,组成一个功能较为完整和复杂的智能功率模块。
3、根据是否具有N 缓冲层划分
(1)穿通IGBT:又称PT-IGBT、非对称IGBT,在发射极接触处具有N 区,具有不对称的电压阻断能力,即正向和反向击穿电压不同。非对称IGBT的反向击穿电压小于其正向击穿电压,同时具有更快的切换速度。穿通IGBT是单向的,不能处理反向电压。因此,它们被用于逆变器和斩波器电路等直流电路中。
(2)非穿通IGBT:又称NPT-IGBT、对称IGBT,它没有由发射极接触额外的N 区域,结构的对称性提供了对称的击穿电压特性,即正向和反向击穿电压相等。由于这个原因,它们被用于交流电路。
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