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入榜《2025年CNPPMOS管十大品牌榜中榜名录》的有:infineon英飞凌、onsemi安森美、ST意法半导体、Toshiba东芝、RENESAS瑞萨、华润微电子、士兰微电子Silan、VISHAY威世、AOS、nexperia安世半导体。最新MOS管十大品牌排行榜由CN10排排榜技术研究部门和CNPP品牌数据研究部门共同发布,是通过专业独立调研测评、AI人工智能、大数据、云计算、资料统计分析后客观呈现的真实结果,不是认定认证,不是竞价排名,不是表彰评选,不是评价评比,排序不分先后,仅供参考。
2025
MOS管10大品牌
本榜单文章由 十大品牌网榜单研究员226号 上传提供 2025-09-8
十大榜单声明:十大品牌不是评选,十大品牌(品牌榜)是由CN10/CNPP品牌数据研究部门通过资料收集整理,并基于大数据统计及人为根据市场和参数条件变化分析研究而得出,是大数据、云计算、数据统计真实客观呈现的结果。以企业实力、品牌荣誉、网络投票、网民口碑打分、企业在行业内的排名情况、企业获得的荣誉及奖励情况等为基础,通过本站特有的计算机分析模型对广泛的数据资源进行采集分析研究,综合了多家机构媒体和网站排行数据,原始数据来源于信用指数以及几十项数据统计计算系统生成的品牌企业行业大数据库,并由研究人员综合考虑市场和参数条件变化后最终才形成十大数据并在网站显示,只有在行业出名、具有规模、影响力、经济实力的企业在才会被系统收录并在网站上面展示出现。
知识点

1、栅极G:mosfet管的栅极G是控制端,名字为gate,在G端加入高低电平即可控制mosfet管的开断。对于NMOS而言,要求Vgs>0时,MOS管导通,否则mosfet关断;对于PMOS而言,要求Vgs<0时,mosfet管导通,否则mosfet关断。

2、源极S:源极,名字为Source,简称S。对NMOS而言,源极S是流出端,对PMOS而言,源极S是流入端。

3、漏极D:漏极,名字为Drain,简称D。对NMOS而言,漏极D是流入端,对PMOS而言,源极S是流出端。

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