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入榜《2026年CNPPMOS管十大品牌榜中榜名录》的有:infineon英飞凌、onsemi安森美、Toshiba东芝半导体存储、ST意法半导体、VISHAY威世、华润微电子、AOS、RENESAS瑞萨、ROHM罗姆、nexperia安世半导体。最新MOS管十大品牌排行榜由CN10排排榜技术研究部门和CNPP品牌数据研究部门共同发布,是通过专业独立调研测评、AI人工智能、大数据、云计算、资料统计分析后客观呈现的真实结果,不是认定认证,不是竞价排名,不是表彰评选,不是评价评比,排序不分先后,仅供参考。
2026
MOS管10大品牌
  • infineon英飞凌

    英飞凌科技(中国)有限公司

    • 发源地:德国
    • 成立时间:2003
    • 点亮荣誉勋章:1个
    成立于1999年,全球功率系统和物联网领域先进的半导体科技公司,专业生产IGBT组件、分立器件、智能卡芯片和功率半导体产品等产品,为汽车和工业功率器件、芯片卡和安全应用提供半导体和系统解决方案,其产品...更多>>
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  • onsemi安森美

    安森美半导体公司

    • 发源地:美国
    • 成立时间:
    • 点亮荣誉勋章:1个
    安森美(onsemi)前身摩托罗拉半导体元件部门,于1999年分拆独立上市,于2016年收购仙童半导体(Fairchild),现已成为全球半导体领域的领导者,在SiC功率元件、功率半导体等领域具备领先...更多>>
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  • Toshiba东芝半导体存储

    东芝电子元件(上海)有限公司

    • 发源地:日本
    • 成立时间:
    • 点亮荣誉勋章:2个
    Toshiba东芝半导体存储是东芝集团旗下专注于半导体和存储解决方案的全资子公司,主要负责东芝集团的半导体业务和存储产品(HDD)业务,产品线分为半导体和存储产品两大系列,其半导体产品包括功率半导体、...更多>>
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  • 4

    ST意法半导体

    意法半导体(中国)投资有限公司

    • 发源地:瑞士
    • 成立时间:1988
    • 点亮荣誉勋章:1个
    创始于1988年,全球知名的半导体公司,世界较大的半导体制造商,业务涉及智慧出行、电力能源、物联网等领域,主营产品包括专用汽车IC、分立器件、功率晶体管、模拟器件、功率半导体、射频器件、光学传感器等,...更多>>
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  • 5

    VISHAY威世

    威世(中国)投资有限公司

    • 发源地:美国
    • 成立时间:1962
    • 点亮荣誉勋章:2个
    VISHAY威世始于美国,是全球知名电子元件制造商,通过研发、制造、设计、质量、销售和市场营销,提供基本元件系列产品,包括电阻器、‌电容器、‌感应器、‌半导体器件和光电子元件等,广泛应用于汽车、工业、...更多>>
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  • 6

    华润微电子

    无锡华润微电子有限公司

    • 发源地:无锡市
    • 成立时间:1983
    • 点亮荣誉勋章:1个
    华润集团旗下大型综合性半导体企业,作为一家拥有芯片设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的IDM半导体企业,华润微电子在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产品技术与制造工艺能力,...更多>>
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  • 7

    AOS

    阿尔法和欧米伽半导体有限责任公司

    • 发源地:美国
    • 成立时间:2000
    • 点亮荣誉勋章:2个
    AOS创建于2000年美国,是全球功率半导体设计与供应商,主营功率MOSFET、SiC、GaN、IGBT、电源管理IC及功率模块,拥有多项相关知识产权,融合分立器件、IC工艺与先进封装技术开发电源管理...更多>>
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  • 8

    RENESAS瑞萨

    瑞萨电子(中国)有限公司

    • 发源地:日本
    • 成立时间:2003
    • 点亮荣誉勋章:1个
    瑞萨电子Renesas是日本知名的半导体解决方案供应商,专注于汽车电子、工业自动化和物联网领域的综合性企业,由日立、三菱和NEC半导体业务合并而成。瑞萨拥有完整的芯片设计、制造到封测产业链,可提供微控...更多>>
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  • 9

    ROHM罗姆

    罗姆半导体(中国)有限公司

    • 发源地:日本
    • 成立时间:1958
    • 点亮荣誉勋章:1个
    罗姆(ROHM)创立于1958年日本,由生产电阻器起家,现已成为全球知名的半导体研发、生产厂商,是系统IC和半导体技术方面的佼佼者,产品涉及IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块...更多>>
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  • 10

    nexperia安世半导体

    安世半导体(中国)有限公司

    • 发源地:荷兰
    • 成立时间:2017
    • 点亮荣誉勋章:1个
    安世半导体(Nexperia)于2017年由NXP恩智浦(原飞利浦半导体)标准产品事业部独立而成,现隶属于闻泰科技(股票代码:600745),是全球基础半导体器件开发和生产领域的领导者,产品业务包括分...更多>>
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本榜单文章由 CNPP榜单研究员226号 上传提供 2026-10-8
知识点
mosfet管的三个极分别是什么

1、栅极G:mosfet管的栅极G是控制端,名字为gate,在G端加入高低电平即可控制mosfet管的开断。对于NMOS而言,要求Vgs>0时,MOS管导通,否则mosfet关断;对于PMOS而言,要求Vgs<0时,mosfet管导通,否则mosfet关断。

2、源极S:源极,名字为Source,简称S。对NMOS而言,源极S是流出端,对PMOS而言,源极S是流入端。

3、漏极D:漏极,名字为Drain,简称D。对NMOS而言,漏极D是流入端,对PMOS而言,源极S是流出端。

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